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硅岩掺杂的单晶硅 与 单晶硅 为同类物品/方块。
硅岩掺杂的单晶硅,由 16 个硅块和 1 个硅岩锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成,该流程还需另外通入氮来处理,冶炼需要最低 5,400 K 的炉温来执行,需要利用高速钢-G线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。
相比于普通的单晶硅以及磷掺杂的单晶硅,制造硅岩掺杂的单晶硅所用的耗时更长,以 EV 级电压处理时每生产 1 个硅岩掺杂的单晶硅耗时 750 秒。
1 个硅岩掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 64 个硅岩掺杂的晶圆,该流程同样需要最低 EV 级电压来处理。