合成表 - 中子素掺杂的晶圆 (Neutronium-doped Wafer) - [GTCEu]格雷科技社区版：非官方版 (GregTech CE: Unofficial)

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材料统计	输入 >> 输出	备注
[使用: 切割机] 电力: 36,864,000 EU 消耗: 7,680 EU 电压: IV 时间: 240 秒水 * 1,000 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96	1K1K 6464 3232	编辑删除
[使用: 切割机] 电力: 18,432,000 EU 消耗: 7,680 EU 电压: IV 时间: 120 秒润滑油 * 250 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96	250250 6464 3232	编辑删除使用 GTCEu 中对应的材料
[使用: 切割机] 电力: 27,648,000 EU 消耗: 7,680 EU 电压: IV 时间: 180 秒蒸馏水 * 750 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96	750750 6464 3232	编辑删除使用 GTCEu 中对应的材料

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