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闪存,由NAND 存储器芯片、RAM、塑料电路基板、任意一种 MV 级电路等原料以最低 MV 级电压(90 EU/t)在组装机中制成。
在原 GTCE 中,闪存暂无实际用途;而在同时安装 Gregicality Legacy 的情况下能够用于太阳能流体取样机中,来储存太阳能流体取样机所探测而生成的地下油田信息。
资料分类: | 材料 |
最大叠加: | 64个 / 组 |
闪存,由NAND 存储器芯片、RAM、塑料电路基板、任意一种 MV 级电路等原料以最低 MV 级电压(90 EU/t)在组装机中制成。
在原 GTCE 中,闪存暂无实际用途;而在同时安装 Gregicality Legacy 的情况下能够用于太阳能流体取样机中,来储存太阳能流体取样机所探测而生成的地下油田信息。
资料分类: | 材料 |
最大叠加: | 64个 / 组 |
材料统计 | 输入 >> 输出 | 备注 |
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[使用: 组装机] NAND 存储器芯片 * 32 RAM * 4 矿词: platePlastic * 4 矿词: circuitGood * 1 塑料电路基板 * 1 焊锡 * 288 mB ↓ 闪存 * 1 |