光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
物品命令:/give @p moegadd:Wafer30wm 64
光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
光刻后晶元(30微米工艺) (item.Wafer30wm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)
物品命令:/give @p moegadd:Wafer20wm 64
光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)
光刻后晶元(20微米工艺) (item.Wafer20wm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
物品命令:/give @p moegadd:Wafer10wm 64
光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
光刻后晶元(10微米工艺) (item.Wafer10wm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)

光刻后晶元(1微米工艺) 与 光刻后晶元 为同类物品/方块,已合并。

物品命令:/give @p moegadd:Wafer1wm 64
光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)
光刻后晶元(1微米工艺) (item.Wafer1wm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
物品命令:/give @p moegadd:Wafer200nm 64
光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
光刻后晶元(200纳米工艺) (item.Wafer200nm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
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光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
光刻后晶元(60纳米工艺) (item.Wafer60nm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
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光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
光刻后晶元(20纳米工艺) (item.Wafer20nm.name)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组

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