中子素掺杂的晶圆，是一种合成材料，属于最高级的晶圆类合成材料。

来源

在超净间环境下，在切割机中以最低 IV 级电压切割中子素掺杂的单晶硅产出中子素掺杂的晶圆。每处理 1 个中子素掺杂的单晶硅，将产出 96 个中子素掺杂的晶圆。

用途

在超净间环境下，在激光蚀刻机内被进一步蚀刻成具有不同用途的晶圆。以下为相对于其它低级的硅晶圆而言，中子素掺杂的晶圆独有的配方：

• 搭配任意一种黑色透镜，制成 HASoC 晶圆。

所有对中子素掺杂的硅晶圆作处理的激光蚀刻机配方均需最低 IV 级电压（7,680 EU/t）来执行，基础耗时 45 秒，且透镜不消耗。

另外，在激光蚀刻机中，中子素掺杂的晶圆也可代替硅岩掺杂的晶圆、磷掺杂的晶圆或普通的硅晶圆来生产其它种类的晶圆。

• 代替硅岩掺杂的晶圆时，产量将提升至原来的 2 倍；

• 代替磷掺杂的晶圆时，产量将提升至原来的 8 倍；

• 代替普通的硅晶圆时，产量将提升至原来的 16 倍。