磷掺杂的单晶硅，由 64 个硅粉和 8 个磷粉在电力高炉中配合小堆砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 2,484 K 的炉温来执行，需要利用坎塔尔线圈方块来冶炼。相比于普通的单晶硅，制造磷掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 HV 级电压处理时每生产 1 个磷掺杂的单晶硅耗时 600 秒。

1 个磷掺杂的单晶硅可以在板材切割机中被切割成 32 个磷掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 HV 级电压来处理。