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单晶硅,由 32 个硅粉在电力高炉中配合小堆砷化镓粉冶炼而成,冶炼需要最低 1,784 K 的炉温来执行,利用白铜线圈方块即可冶炼。制造单晶硅所用的耗时较长,以 MV 级电压处理时每生产 1 个单晶硅耗时 450 秒。
1 个单晶硅可以在板材切割机中被切割成 16 个硅晶圆,该流程同样需要最低 MV 级电压来处理。
磷掺杂的单晶硅 与 单晶硅 为同类物品/方块,已合并。
磷掺杂的单晶硅,由 64 个硅粉和 8 个磷粉在电力高炉中配合小堆砷化镓粉冶炼而成,该流程还需另外通入氮来处理,冶炼需要最低 2,484 K 的炉温来执行,需要利用坎塔尔线圈方块来冶炼。相比于普通的单晶硅,制造磷掺杂的单晶硅所用的耗时更长,以 HV 级电压处理时每生产 1 个磷掺杂的单晶硅耗时 600 秒。
1 个磷掺杂的单晶硅可以在板材切割机中被切割成 32 个磷掺杂的晶圆,该流程同样需要最低 HV 级电压来处理。
硅岩掺杂的单晶硅,由 16 个硅块和 1 个硅岩锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成,该流程还需另外通入氮来处理,冶炼需要最低 5,400 K 的炉温来执行,需要利用高速钢-G线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。
相比于普通的单晶硅以及磷掺杂的单晶硅,制造硅岩掺杂的单晶硅所用的耗时更长,以 EV 级电压处理时每生产 1 个硅岩掺杂的单晶硅耗时 750 秒。
1 个硅岩掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 64 个硅岩掺杂的晶圆,该流程同样需要最低 EV 级电压来处理。
中子素掺杂的单晶硅,由 32 个硅块和 4 个中子素锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成,该流程还需另外通入氮来处理,冶炼需要最低 6,484 K 的炉温来执行,需要利用硅岩线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。
相比于普通的单晶硅、磷掺杂的单晶硅以及硅岩掺杂的单晶硅,制造中子素掺杂的单晶硅所用的耗时更长,以 IV 级电压处理时每生产 1 个中子素掺杂的单晶硅耗时 900 秒。
1 个中子素掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 96 个中子素掺杂的晶圆,该流程同样需要最低 IV 级电压来处理。