硅岩掺杂的单晶硅，由 16 个硅块和 1 个硅岩锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 5,400 K
的炉温来执行，需要利用高速钢-G线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。

相比于普通的单晶硅以及磷掺杂的单晶硅，制造硅岩掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 EV 级电压处理时每生产 1
个硅岩掺杂的单晶硅耗时 750 秒。

1 个硅岩掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 64 个硅岩掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 EV 级电压来处理。