单晶硅，由 32 个硅粉在电力高炉中配合小堆砷化镓粉冶炼而成，冶炼需要最低 1,784 K 的炉温来执行，利用白铜线圈方块即可冶炼。制造单晶硅所用的耗时较长，以 MV 级电压处理时每生产 1 个单晶硅耗时 450 秒。

1 个单晶硅可以在板材切割机中被切割成 16 个硅晶圆，该流程同样需要最低 MV 级电压来处理。

磷掺杂的单晶硅，由 64 个硅粉和 8 个磷粉在电力高炉中配合小堆砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 2,484 K 的炉温来执行，需要利用坎塔尔线圈方块来冶炼。相比于普通的单晶硅，制造磷掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 HV 级电压处理时每生产 1 个磷掺杂的单晶硅耗时 600 秒。

1 个磷掺杂的单晶硅可以在板材切割机中被切割成 32 个磷掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 HV 级电压来处理。

硅岩掺杂的单晶硅，由 16 个硅块和 1 个硅岩锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 5,400 K
的炉温来执行，需要利用高速钢-G线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。

相比于普通的单晶硅以及磷掺杂的单晶硅，制造硅岩掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 EV 级电压处理时每生产 1
个硅岩掺杂的单晶硅耗时 750 秒。

1 个硅岩掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 64 个硅岩掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 EV 级电压来处理。

中子素掺杂的单晶硅，由 32 个硅块和 4 个中子素锭在电力高炉中配合砷化镓粉冶炼而成，该流程还需另外通入氮来处理，冶炼需要最低 6,484 K
的炉温来执行，需要利用硅岩线圈方块或具有更高热容的线圈方块来冶炼。

相比于普通的单晶硅、磷掺杂的单晶硅以及硅岩掺杂的单晶硅，制造中子素掺杂的单晶硅所用的耗时更长，以 IV 级电压处理时每生产 1
个中子素掺杂的单晶硅耗时 900 秒。

1 个中子素掺杂的单晶硅可以在切割机中被切割成 96 个中子素掺杂的晶圆，该流程同样需要最低 IV 级电压来处理。