中子素掺杂的晶圆 (Neutronium-doped Wafer)
物品命令:/give @p gregtech:meta_item_1 64 374

“待处理电路”

合成材料,可以被合成,属于晶圆类合成材料,但用途与等级不同。


上述精密激光蚀刻机配方中,继承自硅晶圆的配方电量总计 384,000 EU,继承自荧石掺杂的晶圆的配方电量总计 1,536,000 EU,继承自硅岩掺杂的晶圆硅岩掺杂的晶圆的配方电量总计 3,840,000 EU,其余配方电量总计 6,912,000 EU,耗能功率 7,680 EU/t (IV),继承自硅晶圆的配方耗时减少到 2.5s,继承自荧石掺杂的晶圆的配方耗时减少到 10s,继承自硅岩掺杂的晶圆硅岩掺杂的晶圆的配方耗时减少到 25s,其余耗时 45s ,不消耗透镜,需要超净间。

中子素掺杂的晶圆 (Neutronium-doped Wafer)
中子素掺杂的晶圆 (Neutronium-doped Wafer)
资料分类:材料
最大叠加:64个 / 组
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材料统计输入 >> 输出备注

[使用: 切割机]


电力: 36,864,000 EU

消耗: 7,680 EU

电压: IV

时间: 240 秒

* 1,000 mB

中子素掺杂的单晶硅 * 1

中子素掺杂的晶圆 * 96

水
1K1K
中子素掺杂的单晶硅
中子素掺杂的晶圆
6464
中子素掺杂的晶圆
3232

[使用: 切割机]


电力: 18,432,000 EU

消耗: 7,680 EU

电压: IV

时间: 120 秒

润滑油 * 250 mB

中子素掺杂的单晶硅 * 1

中子素掺杂的晶圆 * 96

润滑油
250250
中子素掺杂的单晶硅
中子素掺杂的晶圆
6464
中子素掺杂的晶圆
3232
使用 GTCEu 中对应的材料

[使用: 切割机]


电力: 27,648,000 EU

消耗: 7,680 EU

电压: IV

时间: 180 秒

蒸馏水 * 750 mB

中子素掺杂的单晶硅 * 1

中子素掺杂的晶圆 * 96

蒸馏水
750750
中子素掺杂的单晶硅
中子素掺杂的晶圆
6464
中子素掺杂的晶圆
3232
使用 GTCEu 中对应的材料
*这里只会显示该物品合成方式,且最多显示10个,点击右边栏"查看合成/用途"可查看该物品作为材料的合成。

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