GUI合成 显示绑定在这个物品上的GUI，可以用来制作哪些物品。
| 材料统计 | 输入 >> 输出 | 备注 |
|---|---|---|
[使用: 切割机] 润滑油 * 250 mB 量子CPU晶片 * 1 ↓ 量子 CPU * 4 |    | 使用 GTCEu 中对应的材料 需要超净间 |
[使用: 切割机] 水 * 1,000 mB 荧石掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 荧石掺杂的晶圆 * 32 |    | 需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 水 * 1,000 mB 硅岩掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 硅岩掺杂的晶圆 * 64 |   | 需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 润滑油 * 20 mB 单晶硅 * 1 ↓ 硅晶圆 * 16 |    | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 60 mB 单晶硅 * 1 ↓ 硅晶圆 * 16 |  | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 水 * 80 mB 单晶硅 * 1 ↓ 硅晶圆 * 16 | | |
[使用: 切割机] 润滑油 * 250 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96 |   | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 750 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96 | | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 水 * 1,000 mB 中子素掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 中子素掺杂的晶圆 * 96 | | |
[使用: 切割机] 润滑油 * 250 mB 荧石掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 荧石掺杂的晶圆 * 32 | | 使用 GTCEu 中对应的材料，需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 750 mB 荧石掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 荧石掺杂的晶圆 * 32 |  | 使用 GTCEu 中对应的材料，需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 润滑油 * 250 mB 硅岩掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 硅岩掺杂的晶圆 * 64 | | 使用 GTCEu 中对应的材料，需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 750 mB 硅岩掺杂的单晶硅 * 1 ↓ 硅岩掺杂的晶圆 * 64 | | 使用 GTCEu 中对应的材料，需要超净间环境。 |
[使用: 切割机] 流体 * 84 mB CPU 晶片 * 1 ↓ CPU * 8 |    | 流体=润滑油 需要在超净间内合成。 |
[使用: 切割机] 流体 * 253 mB CPU 晶片 * 1 ↓ CPU * 8 | | 流体=蒸馏水 需要在超净间内工作。 |
[使用: 切割机] 水 * 337 mB CPU 晶片 * 1 ↓ CPU * 8 | | 需要在超净间内合成。 |
[使用: 切割机] 水 * 180 mB 集成逻辑电路 * 1 ↓ 集成电路 * 8 |   | |
[使用: 切割机] 润滑油 * 45 mB 集成逻辑电路 * 1 ↓ 集成电路 * 8 | | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 135 mB 集成逻辑电路 * 1 ↓ 集成电路 * 8 | | 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 流体 * 67 mB RAM 晶片 * 1 ↓ RAM * 32 |   | 流体=润滑油 |
[使用: 切割机] 润滑油 * 250 mB PIC 晶片 * 1 ↓ 纳米 CPU * 4 |   | 需要超净间。 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 流体 * 202 mB RAM 晶片 * 1 ↓ RAM * 32 | | 流体=蒸馏水 |
[使用: 切割机] 蒸馏水 * 750 mB PIC 晶片 * 1 ↓ 纳米 CPU * 4 | | 需要超净间。 使用 GTCEu 中对应的材料 |
[使用: 切割机] 水 * 270 mB RAM 晶片 * 1 ↓ RAM * 32 | | |
[使用: 切割机] 水 * 1,000 mB PIC 晶片 * 1 ↓ 纳米 CPU * 4 | | 需要超净间。 使用 GTCEu 中对应的材料 |
